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AO4427
IC

SOP-8

可供量大可议

AO4427

该P沟道场效应管最大漏极电流为12A, 漏源击穿电压30V, 导通电阻仅10毫欧。 器件凭借低导通损耗特性, 适用于电池保护电路、便携式设备电源管理及负载开关应用。 在直流电机驱动与电压调节模块中, 其低内阻有助于提升系统能效, 满足消费电子对紧凑布局与热管理的设计需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOP-8

库存

40

货期

现货

AO4427参数

封装SOP-8
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存40

AO4427概述

该P沟道场效应管最大漏极电流为12A, 漏源击穿电压30V, 导通电阻仅10毫欧。 器件凭借低导通损耗特性, 适用于电池保护电路、便携式设备电源管理及负载开关应用。 在直流电机驱动与电压调节模块中, 其低内阻有助于提升系统能效, 满足消费电子对紧凑布局与热管理的设计需求。

AO4427特性

暂无产品特性。

AO4427应用领域

暂无应用领域。

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