AO4427
IC
SOP-8
可供量大可议
AO4427
该P沟道场效应管最大漏极电流为12A, 漏源击穿电压30V, 导通电阻仅10毫欧。 器件凭借低导通损耗特性, 适用于电池保护电路、便携式设备电源管理及负载开关应用。 在直流电机驱动与电压调节模块中, 其低内阻有助于提升系统能效, 满足消费电子对紧凑布局与热管理的设计需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
40
货期
现货
AO4427参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
AO4427概述
该P沟道场效应管最大漏极电流为12A, 漏源击穿电压30V, 导通电阻仅10毫欧。 器件凭借低导通损耗特性, 适用于电池保护电路、便携式设备电源管理及负载开关应用。 在直流电机驱动与电压调节模块中, 其低内阻有助于提升系统能效, 满足消费电子对紧凑布局与热管理的设计需求。
AO4427特性
暂无产品特性。
AO4427应用领域
暂无应用领域。
