AO4419-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
AO4419-HXY
AO4419 型号MOS管采用P沟道技术， 封装于紧凑型SOP-8外壳， 特别适合现代高密度电路设计需求。 在30V额定电压VDSS下， 该器件能够出色承载9A的连续漏极电流ID， 而且其导通电阻RD(on)仅为18mR， 确保了卓越的能效比和低功耗性能。 广泛应用于电源管理、马达驱动等领域， 是增强系统性能和节能减排的优选半导体元件。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
200
货期
现货
AO4419-HXY参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 200 |
AO4419-HXY概述
AO4419 型号MOS管采用P沟道技术， 封装于紧凑型SOP-8外壳， 特别适合现代高密度电路设计需求。 在30V额定电压VDSS下， 该器件能够出色承载9A的连续漏极电流ID， 而且其导通电阻RD(on)仅为18mR， 确保了卓越的能效比和低功耗性能。 广泛应用于电源管理、马达驱动等领域， 是增强系统性能和节能减排的优选半导体元件。
AO4419-HXY特性
暂无产品特性。
AO4419-HXY应用领域
暂无应用领域。