AO4419(UMW)
IC
SOP-8
可供量大可议
AO4419(UMW)
特性：结合先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装， 提供极低的RDS(ON)。 VDS(V) = -30V。 ID = -9.7A (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 20mΩ (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 35mΩ (VGS = -4.5V)。 应用：负载开关。 电池保护
品牌
UMW
封装
SOP-8
库存
3,005
货期
现货
AO4419(UMW)参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | UMW(友台半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3005 |
AO4419(UMW)概述
特性：结合先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装， 提供极低的RDS(ON)。 VDS(V) = -30V。 ID = -9.7A (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 20mΩ (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 35mΩ (VGS = -4.5V)。 应用：负载开关。 电池保护
AO4419(UMW)特性
暂无产品特性。
AO4419(UMW)应用领域
暂无应用领域。