AO3499

该P沟道场效应管额定漏极电流为3安培， 漏源击穿电压20伏， 导通电阻60毫欧。 作为高侧开关或负载断开器件， 其特性适用于便携式设备电源管理、电池保护电路及低压直流负载切换场景。 在有限空间内提供可靠的反向极性保护与通断控制， 满足消费电子及通信模块对紧凑布局与低功耗的需求。