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AO3495
IC

SOT-23

可供量大可议

AO3495

该P沟道场效应管漏极电流为5A, 漏源击穿电压20V, 导通电阻35毫欧。 作为高侧开关元件, 其参数适用于低压电源管理、电池保护及负载切换电路。 在20V耐压范围内, 35毫欧的导通阻抗有助于控制功耗与温升, 常见于便携式电子设备、通信模块供电及消费电子产品的电源路径管理中, 满足中小电流应用场景的需求。

Brand

HXY MOSFET

Package

SOT-23

Stock

40

货期

现货

AO3495Parameters

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存40

AO3495概述

该P沟道场效应管漏极电流为5A, 漏源击穿电压20V, 导通电阻35毫欧。 作为高侧开关元件, 其参数适用于低压电源管理、电池保护及负载切换电路。 在20V耐压范围内, 35毫欧的导通阻抗有助于控制功耗与温升, 常见于便携式电子设备、通信模块供电及消费电子产品的电源路径管理中, 满足中小电流应用场景的需求。

AO3495特性

暂无产品特性。

AO3495应用领域

暂无应用领域。

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