AO3495
IC
SOT-23
可供量大可议
AO3495
该P沟道场效应管漏极电流为5A, 漏源击穿电压20V, 导通电阻35毫欧。 作为高侧开关元件, 其参数适用于低压电源管理、电池保护及负载切换电路。 在20V耐压范围内, 35毫欧的导通阻抗有助于控制功耗与温升, 常见于便携式电子设备、通信模块供电及消费电子产品的电源路径管理中, 满足中小电流应用场景的需求。
Brand
HXY MOSFET
Package
SOT-23
Stock
40
货期
现货
AO3495Parameters
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
AO3495概述
该P沟道场效应管漏极电流为5A, 漏源击穿电压20V, 导通电阻35毫欧。 作为高侧开关元件, 其参数适用于低压电源管理、电池保护及负载切换电路。 在20V耐压范围内, 35毫欧的导通阻抗有助于控制功耗与温升, 常见于便携式电子设备、通信模块供电及消费电子产品的电源路径管理中, 满足中小电流应用场景的需求。
AO3495特性
暂无产品特性。
AO3495应用领域
暂无应用领域。
