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AO3421E
IC

SOT-23-3

可供量大可议

AO3421E

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品牌

VBsemi

封装

SOT-23-3

库存

57

货期

现货

AO3421E参数

封装SOT-23-3
品牌VBsemi/微碧半导体
批次23+
数量1个P沟道
导通电阻(RDS(on))135mΩ@10V
栅极电荷量(Qg)8nC@10V
反向传输电容(Crss)27.5pF
输出电容(Coss)46.5pF
分类场效应管(MOSFET)
库存57
MOQ / SPQ5 / 1
漏源电压(Vdss)30V
阈值电压(Vgs(th))2.5V
输入电容(Ciss)215pF
工作温度-55℃~+150℃

AO3421E概述

场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 3A 1个P沟道

AO3421E特性

暂无产品特性。

AO3421E应用领域

暂无应用领域。

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