AO3400A
自营可供
IC
SOT-23
AO3400A
场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 5.8A 1个N沟道
品牌
UMW
封装
SOT-23
交期
现货
批次
26+
AO3400A参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | UMW(友台半导体) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 输入电容(Ciss) | 550pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 62pF |
| 商品型号 | AO3400A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 679,023 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.7nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 48pF |
| 类型 | N沟道 |
| 商品名称 | N沟道, 电流:5.8A, 耐压:30V |
| 封装 | SOT23-3L |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 3.5e-05 |
AO3400A概述
场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 5.8A 1个N沟道
AO3400A特性
- 30V, RDS(ON) = 21 m Ω(典型值), VGS = 10 V
- RDS(ON) = 25 m Ω(典型值), VGS = 4.5 V
- 采用沟槽MOSFET技术
- 高密度单元设计, 实现低RDS(ON)
- 材料:无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
AO3400A应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式PC的电源管理
- DC/DC转换