AO3011A
IC
SOT-23-3L
可供量大可议
AO3011A
N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度先进沟槽技术生产。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低压应用, 并且在非常小的外形表面贴装封装中需要低在线功率损耗。
品牌
JSMSEMI
封装
SOT-23-3L
库存
370
货期
现货
AO3011A参数
| 封装 | SOT-23-3L |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 370 |
AO3011A概述
N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度先进沟槽技术生产。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低压应用, 并且在非常小的外形表面贴装封装中需要低在线功率损耗。
AO3011A特性
暂无产品特性。
AO3011A应用领域
暂无应用领域。
