库存与价格 最近更新:2026年10月8日 02:13(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
AO3011A
IC

SOT-23-3L

可供量大可议

AO3011A

N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度先进沟槽技术生产。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低压应用, 并且在非常小的外形表面贴装封装中需要低在线功率损耗。

品牌

JSMSEMI

封装

SOT-23-3L

库存

370

货期

现货

AO3011A参数

封装SOT-23-3L
品牌JSMSEMI(杰盛微)
MOQ / SPQ1 / 10
分类场效应管(MOSFET)
库存370

AO3011A概述

N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度先进沟槽技术生产。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低压应用, 并且在非常小的外形表面贴装封装中需要低在线功率损耗。

AO3011A特性

暂无产品特性。

AO3011A应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件