AMR448N-CT-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
AMR448N-CT-HXY
该N沟道MOSFET具备120A的连续漏极电流和100V的漏源电压额定值， 导通电阻仅为3.6毫欧。 低RDS(ON)有效降低导通状态下的功率损耗， 提升整体效率。 器件适用于高电流、高频率的电源转换场合， 能够在紧凑布局中维持良好的热性能与电气稳定性， 适合用于对能效和空间有较高要求的电子系统中的功率开关功能。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
69
货期
现货
AMR448N-CT-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 69 |
AMR448N-CT-HXY概述
该N沟道MOSFET具备120A的连续漏极电流和100V的漏源电压额定值， 导通电阻仅为3.6毫欧。 低RDS(ON)有效降低导通状态下的功率损耗， 提升整体效率。 器件适用于高电流、高频率的电源转换场合， 能够在紧凑布局中维持良好的热性能与电气稳定性， 适合用于对能效和空间有较高要求的电子系统中的功率开关功能。
AMR448N-CT-HXY特性
暂无产品特性。
AMR448N-CT-HXY应用领域
暂无应用领域。