AMR430N-HXY

该N沟道MOSFET具备30V的漏源击穿电压（VDSS）， 在栅源电压（VGS）为20V时， 导通电阻（RDS(ON)）仅为4.3毫欧， 可承载高达60A的连续漏极电流（ID）。 其极低的导通电阻有效降低导通损耗， 适用于高效率、大电流的电源转换与配电系统。 器件在高频开关条件下仍能维持良好的动态特性， 适合用于对热管理和空间布局要求严苛的电子设备中， 如服务器电源、便携式储能装置及高性能计算平台的供电模块。