AM9569DA-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
AM9569DA-HXY
AM9569DA 是一款P沟道MOSFET， 采用常见的TO-252-2L封装形式， 适用于各类高功率电子设备。 器件工作电压VDSS高达40V， 可承载最大25A的漏极电流ID， 体现了其优秀的电流处理性能。 导通电阻RD(on)为31mΩ， 有助于降低功耗并提升整体电路效率。 广泛应用于电源转换、电机驱动控制、电池管理系统等场景， AM9569DA MOS管是您设计高效率、低损耗电路的理想选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
2,270
货期
现货
AM9569DA-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2270 |
AM9569DA-HXY概述
AM9569DA 是一款P沟道MOSFET， 采用常见的TO-252-2L封装形式， 适用于各类高功率电子设备。 器件工作电压VDSS高达40V， 可承载最大25A的漏极电流ID， 体现了其优秀的电流处理性能。 导通电阻RD(on)为31mΩ， 有助于降低功耗并提升整体电路效率。 广泛应用于电源转换、电机驱动控制、电池管理系统等场景， AM9569DA MOS管是您设计高效率、低损耗电路的理想选择。
AM9569DA-HXY特性
暂无产品特性。
AM9569DA-HXY应用领域
暂无应用领域。