AM7438N-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
AM7438N-HXY
该N沟道MOSFET具有80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至4.7mΩ， 在栅源电压（VGS）高达20V时仍能稳定工作。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升系统效率， 适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理、电机驱动及高效率开关电路等场景。 器件结构优化了开关特性与导通性能的平衡， 适合在高频或大电流条件下运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
98
货期
现货
AM7438N-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 98 |
AM7438N-HXY概述
该N沟道MOSFET具有80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至4.7mΩ， 在栅源电压（VGS）高达20V时仍能稳定工作。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升系统效率， 适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理、电机驱动及高效率开关电路等场景。 器件结构优化了开关特性与导通性能的平衡， 适合在高频或大电流条件下运行。
AM7438N-HXY特性
暂无产品特性。
AM7438N-HXY应用领域
暂无应用领域。