AM7436N-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
AM7436N-HXY
该N沟道MOSFET具备90A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）仅为3.5mΩ， 在栅源电压（VGS）达20V时可确保可靠运行。 低导通电阻有效降低导通损耗， 提升整体能效， 适用于高电流开关电源、电机控制及高效功率转换等应用场合。 其电气特性适合在高频操作或对热管理要求较高的电路中使用， 兼顾开关速度与导通性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
99
货期
现货
AM7436N-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 99 |
AM7436N-HXY概述
该N沟道MOSFET具备90A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）仅为3.5mΩ， 在栅源电压（VGS）达20V时可确保可靠运行。 低导通电阻有效降低导通损耗， 提升整体能效， 适用于高电流开关电源、电机控制及高效功率转换等应用场合。 其电气特性适合在高频操作或对热管理要求较高的电路中使用， 兼顾开关速度与导通性能。
AM7436N-HXY特性
暂无产品特性。
AM7436N-HXY应用领域
暂无应用领域。