AM7338N-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
AM7338N-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有40A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至5毫欧。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升系统效率， 在高电流开关应用中表现优异。 器件适用于对功率密度和热性能有较高要求的场合， 可有效支持电源管理、电机驱动及各类高效能电子设备中的开关功能。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
95
货期
现货
AM7338N-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 95 |
AM7338N-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有40A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至5毫欧。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升系统效率， 在高电流开关应用中表现优异。 器件适用于对功率密度和热性能有较高要求的场合， 可有效支持电源管理、电机驱动及各类高效能电子设备中的开关功能。
AM7338N-HXY特性
暂无产品特性。
AM7338N-HXY应用领域
暂无应用领域。