AM7321P-T1-PF-VB
自营可供
IC
DFN3x3-8
AM7321P-T1-PF-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单P型场效应管， 采用Trench技术， 适合在紧凑空间内应用。 DFN8(3X3)； P—Channel沟道, -20V； -52A； RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V, VGS=16V； Vth=-1~-2.2V
品牌
VBsemi
封装
DFN3x3-8
交期
现货
批次
—
AM7321P-T1-PF-VB参数
| 封装 | DFN3x3-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 输入电容(Ciss) | 210pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 45pF |
| 商品型号 | AM7321P-T1-PF-VB |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000185 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@4.5V |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.7nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF |
| 类型 | P沟道 |
| 商品名称 | 1个P沟道 耐压:20V |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
AM7321P-T1-PF-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单P型场效应管， 采用Trench技术， 适合在紧凑空间内应用。 DFN8(3X3)； P—Channel沟道, -20V； -52A； RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V, VGS=16V； Vth=-1~-2.2V
AM7321P-T1-PF-VB特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率 MOSFET
- 100% 进行栅极电阻(Rg)测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
AM7321P-T1-PF-VB应用领域
- 便携式应用的负载开关
- 便携式设备的电池开关
- 计算机
- 总线开关
- 负载开关
- P 沟道 MOSFET