AM20N10-160D-HXY

该N沟道场效应管额定漏极电流为15安培， 漏源击穿电压达100伏， 导通电阻典型值为100毫欧。 器件凭借低导通损耗特性， 适用于各类中低压电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统。 其参数配置能够满足高效率开关应用需求， 在直流-直流变换器及负载开关设计中提供稳定的电流控制能力， 确保电路在连续工作状态下保持优良的热性能与电气可靠性。