AM20N10-115D-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
AM20N10-115D-HXY
该N沟道场效应管额定漏极电流为15A, 漏源击穿电压达100V, 导通电阻为100毫欧。 其电气特性适用于中等功率开关场景, 常见于直流电机驱动、电源适配器次级整流及电池管理系统的负载控制环节。 在100V耐压等级下, 该器件能有效平衡导通损耗与开关性能, 满足各类电子设备对功率转换效率及电路稳定性的基础需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
48
货期
现货
AM20N10-115D-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
AM20N10-115D-HXY概述
该N沟道场效应管额定漏极电流为15A, 漏源击穿电压达100V, 导通电阻为100毫欧。 其电气特性适用于中等功率开关场景, 常见于直流电机驱动、电源适配器次级整流及电池管理系统的负载控制环节。 在100V耐压等级下, 该器件能有效平衡导通损耗与开关性能, 满足各类电子设备对功率转换效率及电路稳定性的基础需求。
AM20N10-115D-HXY特性
暂无产品特性。
AM20N10-115D-HXY应用领域
暂无应用领域。
