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AM20N10-115D-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

AM20N10-115D-HXY

该N沟道场效应管额定漏极电流为15A, 漏源击穿电压达100V, 导通电阻为100毫欧。 其电气特性适用于中等功率开关场景, 常见于直流电机驱动、电源适配器次级整流及电池管理系统的负载控制环节。 在100V耐压等级下, 该器件能有效平衡导通损耗与开关性能, 满足各类电子设备对功率转换效率及电路稳定性的基础需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

48

货期

现货

AM20N10-115D-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存48

AM20N10-115D-HXY概述

该N沟道场效应管额定漏极电流为15A, 漏源击穿电压达100V, 导通电阻为100毫欧。 其电气特性适用于中等功率开关场景, 常见于直流电机驱动、电源适配器次级整流及电池管理系统的负载控制环节。 在100V耐压等级下, 该器件能有效平衡导通损耗与开关性能, 满足各类电子设备对功率转换效率及电路稳定性的基础需求。

AM20N10-115D-HXY特性

暂无产品特性。

AM20N10-115D-HXY应用领域

暂无应用领域。

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