AM140N03-03D-HXY

该N沟道场效应管漏极电流达150A， 漏源电压30V， 导通电阻仅1.5mΩ， 栅源电压耐受20V。 器件具备极低导通损耗与高电流承载能力， 适用于大电流负载开关、电池管理系统及直流电机驱动。 其低内阻特性显著降低发热， 广泛用于高性能计算电源、储能设备及通信基站等对功率密度和效率要求严苛的电子应用中。