AKF20P45D
IC
DFN-6(2x2)
可供量大可议
AKF20P45D
P+P双通道Trench工艺MOSFET， 具备优异性能与高可靠性。 ESD增强设计(HBM)＞2500V， 采用DFN 2x2 双芯封装提供出色散热能力， 同时实现小型化； 导通电阻小：35mΩ@VGS=-4.5V, 50mΩ@VGS=-2.5V， 160mΩ@VGS=-1.5V； ID=-4.5A通流能力， 支持并联应用以满足更高功率需求， 是电动汽车控制、电源管理及工业自动化等领域的理想选择。
品牌
ARK
封装
DFN-6(2x2)
库存
175
货期
现货
AKF20P45D参数
| 封装 | DFN-6(2x2) |
|---|---|
| 品牌 | ARK(方舟微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 175 |
AKF20P45D概述
P+P双通道Trench工艺MOSFET， 具备优异性能与高可靠性。 ESD增强设计(HBM)＞2500V， 采用DFN 2x2 双芯封装提供出色散热能力， 同时实现小型化； 导通电阻小：35mΩ@VGS=-4.5V, 50mΩ@VGS=-2.5V， 160mΩ@VGS=-1.5V； ID=-4.5A通流能力， 支持并联应用以满足更高功率需求， 是电动汽车控制、电源管理及工业自动化等领域的理想选择。
AKF20P45D特性
暂无产品特性。
AKF20P45D应用领域
暂无应用领域。