AIMW120R035M1HXKSA1
IC
TO-247-3-41
可供量大可议
AIMW120R035M1HXKSA1
特性：革命性半导体材料：碳化硅。 极低的开关损耗。 无阈值导通特性。 IGBT兼容驱动电压（导通电压18V）。 0V关断栅极电压。 基准栅极阈值电压， VGS(th) = 4.5V。 应用：车载充电器/PFC。 升压/DC-DC转换器
品牌
Infineon
封装
TO-247-3-41
库存
5
货期
现货
AIMW120R035M1HXKSA1参数
| 封装 | TO-247-3-41 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
AIMW120R035M1HXKSA1概述
特性：革命性半导体材料：碳化硅。 极低的开关损耗。 无阈值导通特性。 IGBT兼容驱动电压（导通电压18V）。 0V关断栅极电压。 基准栅极阈值电压， VGS(th) = 4.5V。 应用：车载充电器/PFC。 升压/DC-DC转换器
AIMW120R035M1HXKSA1特性
暂无产品特性。
AIMW120R035M1HXKSA1应用领域
暂无应用领域。