AIMDQ75R040M1HXUMA1

采用英飞凌20多年来开发的成熟碳化硅技术。 利用宽带隙SiC材料特性， 750V MOSFET结合了高性能、可靠性和易用性。 适用于高温和恶劣工作环境， 能够以低成本实现最高的系统效率。