AIMBG75R040M1HXTMA1
IC
TO-263-7
可供量大可议
AIMBG75R040M1HXTMA1
750 V CoolSiC™ 基于成熟碳化硅技术打造。 借助宽带隙碳化硅材料的特性， 750 V CoolSiC™ MOSFET集卓越性能、高可靠性和易用性于一身。 它适用于高温和恶劣的工作环境， 能够以简单且经济高效的方式实现最高的系统效率
品牌
Infineon
封装
TO-263-7
库存
2
货期
现货
AIMBG75R040M1HXTMA1参数
| 封装 | TO-263-7 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
AIMBG75R040M1HXTMA1概述
750 V CoolSiC™ 基于成熟碳化硅技术打造。 借助宽带隙碳化硅材料的特性， 750 V CoolSiC™ MOSFET集卓越性能、高可靠性和易用性于一身。 它适用于高温和恶劣的工作环境， 能够以简单且经济高效的方式实现最高的系统效率
AIMBG75R040M1HXTMA1特性
暂无产品特性。
AIMBG75R040M1HXTMA1应用领域
暂无应用领域。