AIMBG120R080M1XTMA1
IC
TO-263-7
可供量大可议
AIMBG120R080M1XTMA1
特性：VDSS = 1200 V， TVj = -55…175℃。 IDDC = 30 A， TC = 25℃。 RDS(on) = 80 mΩ， VGS = 20 V， TVj = 25℃。 应用：车载充电器
品牌
Infineon
封装
TO-263-7
库存
3
货期
现货
AIMBG120R080M1XTMA1参数
| 封装 | TO-263-7 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3 |
AIMBG120R080M1XTMA1概述
特性：VDSS = 1200 V， TVj = -55…175℃。 IDDC = 30 A， TC = 25℃。 RDS(on) = 80 mΩ， VGS = 20 V， TVj = 25℃。 应用：车载充电器
AIMBG120R080M1XTMA1特性
暂无产品特性。
AIMBG120R080M1XTMA1应用领域
暂无应用领域。