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AIGW50N65H5
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TO-247-3-41

AIGW50N65H5

IGBT管/模块 AIGW50N65H5 TO-247-3-41

品牌

Infineon

封装

TO-247-3-41

交期

现货

批次

26+

AIGW50N65H5参数

封装TO-247-3-41
品牌Infineon(英飞凌)
批次26+
耗散功率(Pd)270W
集射极饱和电压(VCE(sat))1.66V@50A, 15V
栅极电荷量(Qg)116nC@50A, 15V
开启延迟时间(Td(on))21ns
导通损耗(Eon)450uJ
工作温度-40℃~+175℃@(Tj)
分类IGBT管/模块
库存240
MOQ / SPQ1 / 1
集射极击穿电压(Vces)650V
栅极阈值电压(Vge(th))4V@500uA
输入电容(Cies)2.8nF@25V
关断延迟时间(Td(off))173ns
关断损耗(Eoff)160uJ

AIGW50N65H5概述

IGBT管/模块 AIGW50N65H5 TO-247-3-41

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