AIGB15N65H5
IC
TO-263
可供量大可议
AIGB15N65H5
特性：高速H5技术， 在硬开关和谐振拓扑中具有一流的效率。 可直接替代上一代IGBT。 650V击穿电压。 低栅极电荷Qs。 最高结温175℃。 经过动态应力测试。 应用：车载充电器。 非车载充电器
品牌
Infineon
封装
TO-263
库存
20
货期
现货
AIGB15N65H5参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 20 |
AIGB15N65H5概述
特性：高速H5技术， 在硬开关和谐振拓扑中具有一流的效率。 可直接替代上一代IGBT。 650V击穿电压。 低栅极电荷Qs。 最高结温175℃。 经过动态应力测试。 应用：车载充电器。 非车载充电器
AIGB15N65H5特性
暂无产品特性。
AIGB15N65H5应用领域
暂无应用领域。