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AIDK12S65C5ATMA1-HXY
IC

TO-263

可供量大可议

AIDK12S65C5ATMA1-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为12A, 反向重复峰值电压为650V, 正向导通压降典型值为1.3V, 反向漏电流为50μA, 表现出优异的导通效率与低漏电特性。 其非重复浪涌正向电流能力达90A, 具备良好的瞬态耐受能力。 基于碳化硅材料的特性, 该器件在高频开关应用中可显著降低损耗, 适用于对效率、稳定性和热性能有较高要求的电源转换系统。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-263

库存

4

货期

现货

AIDK12S65C5ATMA1-HXY参数

封装TO-263
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存4

AIDK12S65C5ATMA1-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为12A, 反向重复峰值电压为650V, 正向导通压降典型值为1.3V, 反向漏电流为50μA, 表现出优异的导通效率与低漏电特性。 其非重复浪涌正向电流能力达90A, 具备良好的瞬态耐受能力。 基于碳化硅材料的特性, 该器件在高频开关应用中可显著降低损耗, 适用于对效率、稳定性和热性能有较高要求的电源转换系统。

AIDK12S65C5ATMA1-HXY特性

暂无产品特性。

AIDK12S65C5ATMA1-HXY应用领域

暂无应用领域。

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