AIDK12S65C5ATMA1-HXY
IC
TO-263
可供量大可议
AIDK12S65C5ATMA1-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为12A, 反向重复峰值电压为650V, 正向导通压降典型值为1.3V, 反向漏电流为50μA, 表现出优异的导通效率与低漏电特性。 其非重复浪涌正向电流能力达90A, 具备良好的瞬态耐受能力。 基于碳化硅材料的特性, 该器件在高频开关应用中可显著降低损耗, 适用于对效率、稳定性和热性能有较高要求的电源转换系统。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-263
库存
4
货期
现货
AIDK12S65C5ATMA1-HXY参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 4 |
AIDK12S65C5ATMA1-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为12A, 反向重复峰值电压为650V, 正向导通压降典型值为1.3V, 反向漏电流为50μA, 表现出优异的导通效率与低漏电特性。 其非重复浪涌正向电流能力达90A, 具备良好的瞬态耐受能力。 基于碳化硅材料的特性, 该器件在高频开关应用中可显著降低损耗, 适用于对效率、稳定性和热性能有较高要求的电源转换系统。
AIDK12S65C5ATMA1-HXY特性
暂无产品特性。
AIDK12S65C5ATMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。
