AIDK10S65C5ATMA1-HXY
IC
TO-263
可供量大可议
AIDK10S65C5ATMA1-HXY
该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为10A, 反向重复峰值电压达650V, 正向导通压降典型值为1.3V, 反向漏电流仅为50μA, 具备优异的开关特性与能效表现。 其最大非重复浪涌正向电流可达80A, 适用于对高频、高效率及高可靠性有明确需求的电源转换场景, 可在紧凑型电源模块、高频整流单元及各类高效电能处理系统中发挥稳定性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-263
库存
24
货期
现货
AIDK10S65C5ATMA1-HXY参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 24 |
AIDK10S65C5ATMA1-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为10A, 反向重复峰值电压达650V, 正向导通压降典型值为1.3V, 反向漏电流仅为50μA, 具备优异的开关特性与能效表现。 其最大非重复浪涌正向电流可达80A, 适用于对高频、高效率及高可靠性有明确需求的电源转换场景, 可在紧凑型电源模块、高频整流单元及各类高效电能处理系统中发挥稳定性能。
AIDK10S65C5ATMA1-HXY特性
暂无产品特性。
AIDK10S65C5ATMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。
