库存与价格 最近更新:2026年10月9日 00:34(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
AIDK10S65C5ATMA1-HXY
IC

TO-263

可供量大可议

AIDK10S65C5ATMA1-HXY

该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为10A, 反向重复峰值电压达650V, 正向导通压降典型值为1.3V, 反向漏电流仅为50μA, 具备优异的开关特性与能效表现。 其最大非重复浪涌正向电流可达80A, 适用于对高频、高效率及高可靠性有明确需求的电源转换场景, 可在紧凑型电源模块、高频整流单元及各类高效电能处理系统中发挥稳定性能。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-263

库存

24

货期

现货

AIDK10S65C5ATMA1-HXY参数

封装TO-263
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存24

AIDK10S65C5ATMA1-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式结构, 额定正向电流为10A, 反向重复峰值电压达650V, 正向导通压降典型值为1.3V, 反向漏电流仅为50μA, 具备优异的开关特性与能效表现。 其最大非重复浪涌正向电流可达80A, 适用于对高频、高效率及高可靠性有明确需求的电源转换场景, 可在紧凑型电源模块、高频整流单元及各类高效电能处理系统中发挥稳定性能。

AIDK10S65C5ATMA1-HXY特性

暂无产品特性。

AIDK10S65C5ATMA1-HXY应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件