AGMH4015C
IC
TO-220
可供量大可议
AGMH4015C
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：190A 功率(Pd)：300W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：1.5mΩ@10V, 30A 栅极电荷(Qg@Vgs)：81nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：4740pF@20V, 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
TO-220
库存
50
货期
现货
AGMH4015C参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
AGMH4015C概述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：190A 功率(Pd)：300W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：1.5mΩ@10V, 30A 栅极电荷(Qg@Vgs)：81nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：4740pF@20V, 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)
AGMH4015C特性
暂无产品特性。
AGMH4015C应用领域
暂无应用领域。