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AGMH4012A-CP
IC

PDFN-8(5x6)

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AGMH4012A-CP

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):223A 功率(Pd):125W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):1.2mΩ@10V, 20A 栅极电荷(Qg@Vgs):41nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):3.072nF@20V, 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)

品牌

AGMSEMI

封装

PDFN-8(5x6)

库存

18

货期

现货

AGMH4012A-CP参数

封装PDFN-8(5x6)
品牌AGMSEMI(芯控源)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存18

AGMH4012A-CP概述

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):223A 功率(Pd):125W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):1.2mΩ@10V, 20A 栅极电荷(Qg@Vgs):41nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):3.072nF@20V, 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)

AGMH4012A-CP特性

暂无产品特性。

AGMH4012A-CP应用领域

暂无应用领域。

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