AGMH4012A
IC
PDFN-8(5x6)
可供量大可议
AGMH4012A
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：225A 功率(Pd)：114W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：1.2mΩ@10V, 20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3.0V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)：87nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：5.75nF@20V, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
Brand
AGMSEMI
Package
PDFN-8(5x6)
Stock
371
货期
现货
AGMH4012AParameters
| 封装 | PDFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 371 |
AGMH4012A概述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：225A 功率(Pd)：114W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：1.2mΩ@10V, 20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3.0V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)：87nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：5.75nF@20V, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGMH4012A特性
暂无产品特性。
AGMH4012A应用领域
暂无应用领域。