AGMH065N10D
IC
TO-252
可供量大可议
AGMH065N10D
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：227W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：6.5mΩ@10V, 20A 栅极电荷(Qg@Vgs)：32nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1830pF@40V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
TO-252
库存
13
货期
现货
AGMH065N10D参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 13 |
AGMH065N10D概述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：227W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：6.5mΩ@10V, 20A 栅极电荷(Qg@Vgs)：32nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1830pF@40V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGMH065N10D特性
暂无产品特性。
AGMH065N10D应用领域
暂无应用领域。