AGMH065N10C
IC
TO-220
可供量大可议
AGMH065N10C
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：227W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：6.5mΩ@10V, 20A 栅极电荷(Qg@Vgs)：32nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.83nF@40V, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
TO-220
库存
64
货期
现货
AGMH065N10C参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 64 |
AGMH065N10C概述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：227W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：6.5mΩ@10V, 20A 栅极电荷(Qg@Vgs)：32nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.83nF@40V, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGMH065N10C特性
暂无产品特性。
AGMH065N10C应用领域
暂无应用领域。