AGMH065N10A
IC
PDFN-8(5x6)
可供量大可议
AGMH065N10A
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：95A 功率(Pd)：125W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：5.8mΩ@10V, 20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3.0V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)：35nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：2.15nF@50V, Vds=100V Id=95A Rds=5.8mΩ, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
PDFN-8(5x6)
库存
1
货期
现货
AGMH065N10A参数
| 封装 | PDFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
AGMH065N10A概述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：95A 功率(Pd)：125W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：5.8mΩ@10V, 20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3.0V@250uA栅极电荷(Qg@Vgs)：35nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：2.15nF@50V, Vds=100V Id=95A Rds=5.8mΩ, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGMH065N10A特性
暂无产品特性。
AGMH065N10A应用领域
暂无应用领域。