AGMH03N10H
IC
TO-263
可供量大可议
AGMH03N10H
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：160A 功率(Pd)：227W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：2.8mΩ@10V, 50A 栅极电荷(Qg@Vgs)：95nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：7.698nF@40V, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
TO-263
库存
215
货期
现货
AGMH03N10H参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 215 |
AGMH03N10H概述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：160A 功率(Pd)：227W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：2.8mΩ@10V, 50A 栅极电荷(Qg@Vgs)：95nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：7.698nF@40V, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGMH03N10H特性
暂无产品特性。
AGMH03N10H应用领域
暂无应用领域。