AGMH035N10H
IC
TO-263
可供量大可议
AGMH035N10H
AGMH035N10H将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合， 可实现极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
品牌
AGMSEMI
封装
TO-263
库存
13
货期
现货
AGMH035N10H参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 13 |
AGMH035N10H概述
AGMH035N10H将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合， 可实现极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
AGMH035N10H特性
暂无产品特性。
AGMH035N10H应用领域
暂无应用领域。