AGMH022P10D
IC
TO-252
可供量大可议
AGMH022P10D
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：65A 功率(Pd)：140W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：16mΩ@10V, 10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3.0V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：52nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：4.276nF@50V, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
TO-252
库存
32
货期
现货
AGMH022P10D参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 32 |
AGMH022P10D概述
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：65A 功率(Pd)：140W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：16mΩ@10V, 10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3.0V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：52nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：4.276nF@50V, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGMH022P10D特性
暂无产品特性。
AGMH022P10D应用领域
暂无应用领域。