AGM85P10AP
IC
PDFN-8(3.3x3.3)
可供量大可议
AGM85P10AP
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：19A 功率(Pd)：79W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：86mΩ@10V, 10A 栅极电荷(Qg@Vgs)：72nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：3.7nF@40V, 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
PDFN-8(3.3x3.3)
库存
530
货期
现货
AGM85P10AP参数
| 封装 | PDFN-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 530 |
AGM85P10AP概述
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：19A 功率(Pd)：79W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：86mΩ@10V, 10A 栅极电荷(Qg@Vgs)：72nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：3.7nF@40V, 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)
AGM85P10AP特性
暂无产品特性。
AGM85P10AP应用领域
暂无应用领域。