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AGM6805C
IC

TO-220

可供量大可议

AGM6805C

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):68V 连续漏极电流(Id):98A 功率(Pd):111W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):5.2mΩ@10V, 20A 栅极电荷(Qg@Vgs):76nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):4723pF@34V, 工作温度:-55℃~+175℃@(Tj)

品牌

AGMSEMI

封装

TO-220

库存

23

货期

现货

AGM6805C参数

封装TO-220
品牌AGMSEMI(芯控源)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存23

AGM6805C概述

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):68V 连续漏极电流(Id):98A 功率(Pd):111W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):5.2mΩ@10V, 20A 栅极电荷(Qg@Vgs):76nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):4723pF@34V, 工作温度:-55℃~+175℃@(Tj)

AGM6805C特性

暂无产品特性。

AGM6805C应用领域

暂无应用领域。

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