AGM65R640D
IC
TO-252
可供量大可议
AGM65R640D
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：7.0A 功率(Pd)：61W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：0.57Ω@10V, 3.5A 栅极电荷(Qg@Vgs)：13nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.423nF@40V, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
TO-252
库存
50
货期
现货
AGM65R640D参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
AGM65R640D概述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：7.0A 功率(Pd)：61W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：0.57Ω@10V, 3.5A 栅极电荷(Qg@Vgs)：13nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.423nF@40V, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM65R640D特性
暂无产品特性。
AGM65R640D应用领域
暂无应用领域。