AGM635E
IC
SOT-23-3
可供量大可议
AGM635E
结合了先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装， 提供极低的导通电阻RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
品牌
AGMSEMI
封装
SOT-23-3
库存
150
货期
现货
AGM635E参数
| 封装 | SOT-23-3 |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 150 |
AGM635E概述
结合了先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装， 提供极低的导通电阻RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
AGM635E特性
暂无产品特性。
AGM635E应用领域
暂无应用领域。