AGM628MD-M1
IC
TO-252-4L
可供量大可议
AGM628MD-M1
类型：一个N沟道一个P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：20A/-19A 功率(Pd)：34W/40W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：36mΩ@10V, 15A; 60mΩ@-10V, -15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA/-1.7V@250uA; 栅极电荷(Qg@Vgs)：24nC@10V; 10.5nC@-10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.705nF@30V; 0.525nF@-30V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
TO-252-4L
库存
10
货期
现货
AGM628MD-M1参数
| 封装 | TO-252-4L |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
AGM628MD-M1概述
类型：一个N沟道一个P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：20A/-19A 功率(Pd)：34W/40W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：36mΩ@10V, 15A; 60mΩ@-10V, -15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA/-1.7V@250uA; 栅极电荷(Qg@Vgs)：24nC@10V; 10.5nC@-10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.705nF@30V; 0.525nF@-30V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM628MD-M1特性
暂无产品特性。
AGM628MD-M1应用领域
暂无应用领域。