AGM628M1
IC
SOP-8
可供量大可议
AGM628M1
类型：一个N沟道一个P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：6.0A/-4.2A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：27mΩ@10V, 6A; 70mΩ@-10V, -3A; 栅极电荷(Qg@Vgs)：18nC@10V; 11nC@-10V 输入电容(Ciss@Vds)：866pF@30V; 1080pF@-30V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
SOP-8
库存
35
货期
现货
AGM628M1参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 35 |
AGM628M1概述
类型：一个N沟道一个P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：6.0A/-4.2A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：27mΩ@10V, 6A; 70mΩ@-10V, -3A; 栅极电荷(Qg@Vgs)：18nC@10V; 11nC@-10V 输入电容(Ciss@Vds)：866pF@30V; 1080pF@-30V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM628M1特性
暂无产品特性。
AGM628M1应用领域
暂无应用领域。