AGM628EY
IC
SOT-89-3
可供量大可议
AGM628EY
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：10W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：26mΩ@10V, 10A 栅极电荷(Qg@Vgs)：20nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：850pF@30V, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
SOT-89-3
库存
205
货期
现货
AGM628EY参数
| 封装 | SOT-89-3 |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 205 |
AGM628EY概述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：10W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：26mΩ@10V, 10A 栅极电荷(Qg@Vgs)：20nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：850pF@30V, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM628EY特性
暂无产品特性。
AGM628EY应用领域
暂无应用领域。