AGM612I
IC
TO-251
可供量大可议
AGM612I
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：78W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：11mΩ@10V, 10A 栅极电荷(Qg@Vgs)：17nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1000pF@30V, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
TO-251
库存
75
货期
现货
AGM612I参数
| 封装 | TO-251 |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 75 |
AGM612I概述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：78W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：11mΩ@10V, 10A 栅极电荷(Qg@Vgs)：17nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1000pF@30V, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM612I特性
暂无产品特性。
AGM612I应用领域
暂无应用领域。