AGM612AP
自营可供
IC
PDFN-8(3.3x3.3)
AGM612AP
AGM612AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合， 以实现极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
品牌
AGM-Semi
封装
PDFN-8(3.3x3.3)
交期
现货
批次
26+
AGM612AP参数
| 封装 | PDFN-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | AGM-Semi(芯控源) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V； 15mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 输入电容(Ciss) | 1nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 9,708 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 78W |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 9.9pF |
| 输出电容(Coss) | 170pF |
AGM612AP概述
AGM612AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合， 以实现极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。