AGM60P130H
IC
TO-263
可供量大可议
AGM60P130H
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V连续漏极电流（Id）：130A功率(Pd）：180W导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id：5.5mΩ@10V, 15A 栅极电荷（Qg@Vgs）85.6nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：5550pF@30V， 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
TO-263
库存
58
货期
现货
AGM60P130H参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 58 |
AGM60P130H概述
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V连续漏极电流（Id）：130A功率(Pd）：180W导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id：5.5mΩ@10V, 15A 栅极电荷（Qg@Vgs）85.6nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：5550pF@30V， 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM60P130H特性
暂无产品特性。
AGM60P130H应用领域
暂无应用领域。