AGM60P12D
IC
TO-252
可供量大可议
AGM60P12D
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：70A 功率(Pd)：100W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：11mΩ@10V, 20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.8V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：39nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：2360pF@10V, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
TO-252
库存
37
货期
现货
AGM60P12D参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 37 |
AGM60P12D概述
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：70A 功率(Pd)：100W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：11mΩ@10V, 20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.8V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：39nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：2360pF@10V, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM60P12D特性
暂无产品特性。
AGM60P12D应用领域
暂无应用领域。