AGM609AP
IC
PDFN-8(3.3x3.3)
可供量大可议
AGM609AP
AGM609AP将先进的超级沟槽II代MOSFET技术与低电阻封装相结合， 可实现极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
品牌
AGMSEMI
封装
PDFN-8(3.3x3.3)
库存
440
货期
现货
AGM609AP参数
| 封装 | PDFN-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 440 |
AGM609AP概述
AGM609AP将先进的超级沟槽II代MOSFET技术与低电阻封装相结合， 可实现极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
AGM609AP特性
暂无产品特性。
AGM609AP应用领域
暂无应用领域。