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AGM602A
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AGM602A

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):220A 功率(Pd):224W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):1.9mΩ@10V, 20A 栅极电荷(Qg@Vgs):91nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):5100pF@30V 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)

品牌

AGMSEMI

封装

PDFN5x6-8

库存

33

货期

现货

AGM602A参数

封装PDFN5x6-8
品牌AGMSEMI(芯控源)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存33

AGM602A概述

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):220A 功率(Pd):224W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id):1.9mΩ@10V, 20A 栅极电荷(Qg@Vgs):91nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):5100pF@30V 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)

AGM602A特性

暂无产品特性。

AGM602A应用领域

暂无应用领域。

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