AGM601AD
IC
PTO-252
可供量大可议
AGM601AD
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：223A 功率(Pd)：178W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：1.3mΩ@10V, 20A 栅极电荷(Qg@Vgs)：102nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：5.471nF@40V, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
品牌
AGMSEMI
封装
PTO-252
库存
43
货期
现货
AGM601AD参数
| 封装 | PTO-252 |
|---|---|
| 品牌 | AGMSEMI(芯控源) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 43 |
AGM601AD概述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：223A 功率(Pd)：178W 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：1.3mΩ@10V, 20A 栅极电荷(Qg@Vgs)：102nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：5.471nF@40V, 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
AGM601AD特性
暂无产品特性。
AGM601AD应用领域
暂无应用领域。